產(chǎn)品介紹
電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)在真空條件下利用電子束準確地轟擊坩堝內(nèi)靶材，使靶材融化進而沉積在基片上,，在基底上凝結(jié)形成薄膜,，使用該設(shè)備可以鍍出高純度高精度的薄膜，可用來制備金屬單質(zhì)膜，半導(dǎo)體膜,，有機膜等,。
電子束加熱蒸鍍的特點是能獲得極高的能量密度，最高可達109 W/cm2,，加熱溫度可達3000～6000℃，可以蒸發(fā)難熔金屬或化合物,；被蒸發(fā)材料置于水冷的坩堝中,，可避免坩堝材料的污染，制備高純薄膜,；另外,，由于蒸發(fā)物加熱面積小，因而熱輻射損失減少,，熱效率高,。
主要技術(shù)參數(shù)：
1）襯底尺寸：10mm*10mm、2英寸,、3英寸,、4英寸、6英寸,、8英寸
2）襯底個數(shù)：單片或多片可選
3）沉積均勻性優(yōu)于±5%@4英寸(100mm)襯底
4）襯底加熱溫度室溫至1200℃（單片）,，控溫精度±0.1℃，旋轉(zhuǎn)速率0-30rpm
5）多種電子槍坩堝個數(shù)和容積的組合可選
6）電子束蒸發(fā)本底真空：高真空（10-8 Torr量級）或超高真空（10-10 Torr量級）可選
7）QCM膜厚在線監(jiān)控
