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  •  超高真空磁控濺射系統(tǒng)(UHV-Sputter)
超高真空磁控濺射系統(tǒng)(UHV-Sputter)

產(chǎn)品介紹

        超高真空磁控濺射系統(tǒng)相對于傳統(tǒng)的磁控濺射系統(tǒng)本底真空更好,,成膜質(zhì)量更高,;并且系統(tǒng)可以與超高真空互聯(lián)系統(tǒng)進(jìn)行對接,;可用于納米級的單層及多層功能膜-各種金屬膜,、半導(dǎo)體膜,、磁性薄膜,、介質(zhì)膜和氧化物薄膜等的生長,。磁控濺射的特點是成膜速率高,,基片溫度低,,膜的粘附性好,,可實現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法,。

主要技術(shù)參數(shù):

1)襯底尺寸:10mm*10mm,、2英寸、3英寸,、4英寸,、6英寸、8英寸
2)襯底加熱溫度室溫至1000℃,,控溫精度±0.1℃,,旋轉(zhuǎn)速率0-30rpm,靶基距可調(diào)范圍100mm
3)集成多個靶槍實現(xiàn)共濺射或直濺射可選,,標(biāo)準(zhǔn)靶或強磁靶可選,,滿足單層和多層薄膜沉積應(yīng)用
4)沉積均勻性優(yōu)于±5%@4英寸(100mm)襯底
5)射頻,直流,脈沖直流和HIPMS等電源可選
6)射本底真空:高真空(10-8Torr量級)或超高真空(10-10Torr量級)可選
7)QCM膜厚在線監(jiān)控