產(chǎn)品介紹

        分子束外延（MBE）是一種外延制膜方法， 也是一種特殊的超高真空條件下薄膜生長(zhǎng)工藝。外延是一種制備單晶薄膜的新技術(shù),， 它是在適當(dāng)?shù)囊r底與合適的條件下,， 沿襯底材料晶軸方向逐層生長(zhǎng)薄膜的方法。

        MBE的優(yōu)點(diǎn)是： 膜層生長(zhǎng)速率慢（ 每秒單原子層） ,， 束流強(qiáng)度易于精確控制,， 膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調(diào)整,。用這種技術(shù)已能制備薄到原子層級(jí)別的單晶薄膜,， 以及交替生長(zhǎng)不同組分,、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結(jié)構(gòu)材料。

主要技術(shù)參數(shù)：

1,、適用于III / V族,， II / VI族材料外延生長(zhǎng)

2、襯底尺寸：10mm*10mm（旗形樣品托）,、2英寸,、3英寸、4英寸

3,、樣品臺(tái)：四軸（XYZ和旋轉(zhuǎn)）以及五軸高低溫樣品臺(tái)@10mm*10mm（旗型樣品托）

4,、樣品臺(tái)：加熱、冷卻（液氮）可選

5,、襯底加熱溫度室溫至1200℃,，控溫精度±0.1℃。液氮低溫可優(yōu)于100K,。旋轉(zhuǎn)速率0-30rpm

6,、RHEED原位表征，BFM（Beam Flux Monitor）和QCM膜厚在線監(jiān)控可選

Mini MBE	Smart-100
標(biāo)準(zhǔn)旗型樣品托 系統(tǒng)極限真空： 10-10  Torr數(shù)量級(jí) 進(jìn)樣室（帶儲(chǔ)存）+ 外延生長(zhǎng)室 束源法蘭：底部4*CF35,側(cè)面4*CF35	標(biāo)準(zhǔn)旗型樣品托 系統(tǒng)極限真空：10-10 Torr數(shù)量級(jí) 進(jìn)樣室（帶儲(chǔ)存）+ 外延生長(zhǎng)室 束源法蘭：底部4*CF35,，2*CF63,側(cè)面3*CF35

4英寸及以下襯底的生長(zhǎng)
最大束源個(gè)數(shù)：12
可集成束源種類：K-CELL,、E-BM、CRACKER,、PLASMA CELL等
生長(zhǎng)本底真空：超高真空10^-11 Torr或10^-10 Torr量級(jí)可選
全自動(dòng)或半自動(dòng)或手動(dòng)控制模式可選

MBE-C

根據(jù)用戶目前的系統(tǒng)定制MBE,，可與STM、ARPES,、XPS等表征設(shè)備進(jìn)行對(duì)接

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